powdr carbid silicon
Disgrifiad o'r Cynnyrch
Mae priodweddau ffisegol powdr carbid silicon yn cynnwys cryfder uchel, ymwrthedd gwisgo, ymwrthedd cyrydiad, dargludedd thermol uchel, inswleiddio trydanol rhagorol a pherfformiad sioc thermol eang.Mae'r eiddo hyn yn gwneud powdr SIC yn ddeunydd delfrydol, y gellir ei ddefnyddio'n helaeth mewn amgylcheddau eithafol megis tymheredd uchel, pwysedd uchel, pŵer uchel ac ymbelydredd cryf.Mae gan bowdr silicon carbid ystod eang o gymwysiadau, yn bennaf gan gynnwys cerameg, lled-ddargludyddion, ynni newydd a meysydd eraill.Ym maes cerameg, gellir defnyddio powdr carbid silicon i baratoi deunyddiau cerameg perfformiad uchel, megis powlenni ceramig tymheredd uchel, Bearings ceramig, ac ati. Yn y maes lled-ddargludyddion, gellir defnyddio powdr carbid silicon i baratoi dyfeisiau lled-ddargludyddion, megis fel deuodau, dyfeisiau pŵer, ac ati Ym maes ynni newydd, gellir defnyddio powdr carbid silicon i baratoi ffilmiau gwrth-fyfyrio ar gyfer celloedd solar i wella effeithlonrwydd trosi ynni'r haul.
Manylion y fanyleb
| silicon carbide sic powdr manyleb ar gyfer nonbrasive | ||||
| Math | Cyfeirnod cyfansoddiad cemegol (%) | Maint(mm) | ||
| SiC | CC | Fe2O3 | ||
| TN98 | ≥98.00 | <1.00 | <0.50 | 50 ~ 0 |
| TN97 | ≥97.00 | <1.50 | <0.80 | 13~0 |
| TN95 | ≥95.00 | <2.50 | <1.00 | 10~0 |
| TN90 | ≥90.00 | <3.00 | <2.50 | 5~0 |
| TN88 | ≥88.00 | <3.50 | <3.00 | 0.5 ~ 0 |
| TN85 | ≥85.00 | <5.00 | <3.50 | 100F |
| TN60 | ≥60.00 | <12.00 | <3.50 | 200F |
| TN50 | ≥50.00 | <15.00 | <3.50 | 325F |
System rheoli ansawdd
Mae gan Huarui system rheoli ansawdd llym.Rydym yn profi ein cynnyrch yn gyntaf ar ôl i ni orffen ein cynhyrchiad, ac rydym yn profi eto cyn pob dosbarthiad, hyd yn oed sampl.Ac os oes angen, hoffem dderbyn trydydd parti i brofi.Wrth gwrs, os dymunwch, gallem ddarparu sampl i chi ei brofi.
Mae ansawdd ein cynnyrch wedi'i warantu gan Sefydliad Metelegol Sichuan a Sefydliad Ymchwil Metel Guangzhou.Gall y cydweithrediad hirdymor gyda nhw arbed llawer o amser profi i gwsmeriaid.
